Bericht versturen
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com 86-755-86239323
Huis
Producten

Cell Phone Signal Jammer

de stoorzender van het wifisignaal

Handbediende Signaalstoorzender

De Stoorzenders van de konvooibom

de telefoonstoorzenders van de gevangeniscel

De Stoorzender van het hoge Machtssignaal

draagbare signaalstoorzender

gps signaalstoorzender

antihommelstoorzenders

Drone detectoren

Mobiele Telefoononderschepping

Rf-de Module van de Machtsversterker

Cell Phone Signal Repeater

mobiele signaalspanningsverhoger

rf-signaaldetector

RF Power Transistor

De Passieve Componenten van rf

Rf-Antennes
Ongeveer ons
Bedrijfprofiel
Fabriekstocht
Kwaliteitscontrole
Contact de V.S.
Nieuws
Het winkelen
dutch
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
citaat
Huis
Producten
Cell Phone Signal Jammer
de stoorzender van het wifisignaal
Handbediende Signaalstoorzender
De Stoorzenders van de konvooibom
de telefoonstoorzenders van de gevangeniscel
De Stoorzender van het hoge Machtssignaal
draagbare signaalstoorzender
gps signaalstoorzender
antihommelstoorzenders
Drone detectoren
Mobiele Telefoononderschepping
Rf-de Module van de Machtsversterker
Cell Phone Signal Repeater
mobiele signaalspanningsverhoger
rf-signaaldetector
RF Power Transistor
De Passieve Componenten van rf
Rf-Antennes
Ongeveer ons
Bedrijfprofiel
Fabriekstocht
Kwaliteitscontrole
Contact de V.S.
Nieuws
nieuws
Gevallen
Het winkelen
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
producten
Huis /

producten

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt
De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt

Productgegevens

Plaats van herkomst: China

Merknaam: VBE

Certificering: ISO

Modelnummer: VBE6003H

Betaling en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 1pcs

Verpakking Details: neutrale verpakking

Levertijd: 5-8 werkdagen

Levering vermogen: 10k

Vind de beste prijs
Contact opnemen

Specificaties

Beschrijving
Specificaties
Hoog licht:

HOGE MACHTSrf TRANSISTOR

,

de transistor van de hoge frequentiemacht

,

Rf-de Brede Band van de Machtstransistor

Voorwaarde:
Gloednieuw en origineel
Voorwaarde:
Gloednieuw en origineel
Beschrijving
De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt

 

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt 0

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt 1

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt 2

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt 3

Tags:

hoge machtsrf transistor,

rf-de transistor van de machtsversterker,

de transistor van de hoge frequentiemacht

Gelijksoortige producten
De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt

De duurzame rf-Brede Band gelijkstroom van de Machtstransistor aan het Galliumnitride van 6GHz 25W 28 Volt

Vind de beste prijs
Brede de Transistorldmos FETs 28V Breedbandldmos rf van de Band700-3600mhz 20W rf Macht Transistor, Hoge Machtsrf Transistors

Brede de Transistorldmos FETs 28V Breedbandldmos rf van de Band700-3600mhz 20W rf Macht Transistor, Hoge Machtsrf Transistors

Vind de beste prijs
Uitstekende Theramal-van de de Versterkertransistor LDMOS van de Stabiliteitsrf Macht FET 28V HF aan 2.7GHz

Uitstekende Theramal-van de de Versterkertransistor LDMOS van de Stabiliteitsrf Macht FET 28V HF aan 2.7GHz

Vind de beste prijs
Van de de Machtstransistor van de stevig Materiaalhoge snelheid rf de Brede Band gelijkstroom aan 3GHz 120W

Van de de Machtstransistor van de stevig Materiaalhoge snelheid rf de Brede Band gelijkstroom aan 3GHz 120W

Vind de beste prijs
FETs rf van 700-1000MHz LDMOS Hoge Machtstransistors 28V 260W met Geïntegreerde ESD Bescherming

FETs rf van 700-1000MHz LDMOS Hoge Machtstransistors 28V 260W met Geïntegreerde ESD Bescherming

Vind de beste prijs
Brede Band HF aan van de de Machtstransistor LDMOS van 1GHz 55W rf FET 28V Volgzame RoHs

Brede Band HF aan van de de Machtstransistor LDMOS van 1GHz 55W rf FET 28V Volgzame RoHs

Vind de beste prijs
Van de de Machtstransistor van het galliumnitride 28V rf snakt Brede Band 700 aan 5000MHz 25W Levensduur

Van de de Machtstransistor van het galliumnitride 28V rf snakt Brede Band 700 aan 5000MHz 25W Levensduur

Vind de beste prijs
Gelijkstroom aan van de de Transistorversterker van 8GHz 6W Rf van het het Galliumnitride 28V de Originele Nieuwe Voorwaarde

Gelijkstroom aan van de de Transistorversterker van 8GHz 6W Rf van het het Galliumnitride 28V de Originele Nieuwe Voorwaarde

Vind de beste prijs
ISO-van de de Machtstransistor van de Goedkeurings Hoge Frequentie Brede Band 700 aan 6000MHz 15 Watts

ISO-van de de Machtstransistor van de Goedkeurings Hoge Frequentie Brede Band 700 aan 6000MHz 15 Watts

Vind de beste prijs
Stuur uw vraag
Stuur ons uw verzoek en wij zullen u zo snel mogelijk antwoorden.
Stuur
over
Bedrijfprofiel
Fabriekstocht
Kwaliteitscontrole
Contact de V.S.
Sitemap
Privacybeleid
producten

Cell Phone Signal Jammer

de stoorzender van het wifisignaal

Handbediende Signaalstoorzender

De Stoorzenders van de konvooibom

de telefoonstoorzenders van de gevangeniscel

De Stoorzender van het hoge Machtssignaal

Contact de V.S.
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com
86-755-86239323
Vloer 4, die 8, de Industriezone van Xinwei, Nanshan-District, Shenzhen, de Provincie van Guangdong, China bouwt
De Goede Kwaliteit van China Cell Phone Signal Jammer Leverancier. Copyright © 2024 VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. . Alle Rechten Gereserveerd.